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器件3D模型
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SN74LVC1G08DBVT 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
逻辑芯片
封装:
SOT-23-5
描述:
2输入与门
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
SN74LVC1G08DBVT 数据手册 (38 页)
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SN74LVC1G08DBVT 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
5 Pin
电源电压
1.65V ~ 5.50V
封装
SOT-23-5
输出接口数
1 Output
输出电流
32 mA
电路数
1 Circuit
针脚数
5 Position
位数
1 Bit
传送延迟时间
4.00 ns
电压波节
5.00 V, 3.30 V, 2.50 V, 1.80 V
逻辑门数量
1 Gate
输出电流驱动
-1.00 mA
输入数
2 Input
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
1.65V ~ 5.5V
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
1.65 V
查看数据手册 >
SN74LVC1G08DBVT 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
宽度
1.6 mm
高度
1.3 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃
查看数据手册 >
SN74LVC1G08DBVT 符合标准
SN74LVC1G08DBVT 海关信息
SN74LVC1G08DBVT 数据手册
SN74LVC1G08DBVT
数据手册
TI(德州仪器)
38 页 / 1.75 MByte
SN74LVC1G08DBVT
产品设计参考手册
TI(德州仪器)
21 页 / 5.57 MByte
SN74LVC1G08DBVT
其他数据使用手册
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TEXAS INSTRUMENTS SN74LVC1G08DBVR. 芯片, 与门, SOT-23-5, 整卷
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TEXAS INSTRUMENTS SN74LVC1G08DCKR. 芯片, 与门, SC-70-5, 整卷
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DRLR
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TI(德州仪器)
74LVC1G 系列,Texas Instruments低电压 CMOS 逻辑 单门封装 工作电压:1.65 - 5.5 兼容性:输入 LVTTL/TTL、输出 LVCMOS 按 JESD 78 II 级标准,闩锁效应性能超过 100 mA。 ESD 保护超乎 JESD 22 标准 ### 74LVC 系列
SN74LVC1G08
YZPR
数据手册
TI(德州仪器)
74LVC1G 系列,Texas Instruments低电压 CMOS 逻辑 单门封装 工作电压:1.65 - 5.5 兼容性:输入 LVTTL/TTL、输出 LVCMOS 按 JESD 78 II 级标准,闩锁效应性能超过 100 mA。 ESD 保护超乎 JESD 22 标准 ### 74LVC 系列
SN74LVC1G08
QDBVRQ1
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与门, 74LVC1G08, 2输入, 32mA, 1.65V至5.5V, SOT-23-5
SN74LVC1G08
DBVRG4
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单路2输入正与门 SINGLE 2-INPUT POSITIVE-AND GATE
SN74LVC1G08
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TI(德州仪器)
2输入与门
SN74LVC1G08
QDCKRQ1
数据手册
TI(德州仪器)
74LVC1G 系列,Texas Instruments低电压 CMOS 逻辑 单门封装 工作电压:1.65 - 5.5 兼容性:输入 LVTTL/TTL、输出 LVCMOS 按 JESD 78 II 级标准,闩锁效应性能超过 100 mA。 ESD 保护超乎 JESD 22 标准 ### 74LVC 系列
SN74LVC1G08
32DBVR
数据手册
TI(德州仪器)
单3输入正与或门 SINGLE 3-INPUT POSITIVE AND-OR GATE
SN74LVC1G08
DCKT
数据手册
TI(德州仪器)
74LVC1G 系列,Texas Instruments低电压 CMOS 逻辑 单门封装 工作电压:1.65 - 5.5 兼容性:输入 LVTTL/TTL、输出 LVCMOS 按 JESD 78 II 级标准,闩锁效应性能超过 100 mA。 ESD 保护超乎 JESD 22 标准 ### 74LVC 系列
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