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SPA11N60C3
2.502
SPA11N60C3 数据手册 (16 页)
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SPA11N60C3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
650 V
额定电流
11.0 A
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.34 Ω
极性
N-Channel
功耗
33 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
11.0 A
上升时间
5 ns
输入电容值(Ciss)
1200pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
33 W
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
33 W

SPA11N60C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.65 mm
宽度
4.85 mm
高度
9.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SPA11N60C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
16 页 / 0.67 MByte
Infineon(英飞凌)
17 页 / 0.39 MByte
Infineon(英飞凌)
16 页 / 0.63 MByte

SPA11N60 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor
Infineon(英飞凌)
PG-TO220-3-31 整包
Infineon(英飞凌)
N沟道 600V 11A
Infineon(英飞凌)
酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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