SPP20N60C3

￥ 0.858

SPP20N60C3 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

INFINEON SPP20N60C3.. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SPP20N60C3 数据手册 (15 页)

SPP20N60C3 数据手册 (15 页)

或点击图片查看大图

SPP20N60C3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

650 V

额定电流

20.7 A

封装

TO-220-3

额定功率

208 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

190 mΩ

极性

N-Channel

功耗

208 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

650 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

20.7 A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

2400pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

208 W

下降时间

4.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

208 W

View Datasheet >

SPP20N60C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Design

包装方式

Tube

长度

10 mm

宽度

4.4 mm

高度

15.65 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SPP20N60C3 符合标准

SPP20N60C3 海关信息

SPP20N60C3 概述

SPP20N60C3 数据手册

SPP20N60C3 数据手册

Infineon（英飞凌）

15 页 / 1.78 MByte

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Infineon（英飞凌）

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