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SPT01-335DEE 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

TVS二极管

封装:

QFN-6

描述:

STMicroelectronics### 瞬态电压抑制器，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SPT01-335DEE 数据手册 (16 页)

封装尺寸在10 页 11 页

SPT01-335DEE 数据手册 (16 页)

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SPT01-335DEE 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

9 Pin

封装

QFN-6

针脚数

9 Position

功耗

100 W

钳位电压

46 V

测试电流

1 mA

脉冲峰值功率

100 W

最小反向击穿电压

38 V

工作温度(Max)

85 ℃

工作温度(Min)

-25 ℃

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SPT01-335DEE 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.05 mm

宽度

3.05 mm

高度

0.95 mm

工作温度

-40℃ ~ 175℃ (TJ)

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SPT01-335DEE 符合标准

SPT01-335DEE 海关信息

SPT01-335DEE 概述

SPT01-335DEE 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.47 MByte

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ST Microelectronics（意法半导体）

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