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SPW17N80C3
2.19
SPW17N80C3 数据手册 (11 页)
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SPW17N80C3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
800 V
额定电流
17.0 A
封装
TO-247-3
额定功率
227 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
290 mΩ
极性
N-Channel
功耗
208 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
800 V
连续漏极电流(Ids)
17.0 A
上升时间
15 ns
输入电容值(Ciss)
2320pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
208 W
下降时间
12 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
227W (Tc)

SPW17N80C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
16.13 mm
宽度
5.21 mm
高度
21.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SPW17N80C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.24 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
33 页 / 1.03 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.12 MByte

SPW17N80 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPW17N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 290 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPW17N80C3FKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 290 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor
Infineon(英飞凌)
ST Microelectronics(意法半导体)
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