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Datasheet 搜索 > Flash芯片 > Microchip(微芯) > SST39SF040-70-4C-PHE Datasheet 文档
SST39SF040-70-4C-PHE
器件3D模型
2.709
SST39SF040-70-4C-PHE 数据手册 (2 页)
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SST39SF040-70-4C-PHE 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
32 Pin
电源电压
4.50V (min)
工作电压
4.5V ~ 5.5V
封装
PDIP-32
供电电流
25 mA
位数
8 Bit
存取时间
70 ns
内存容量
500000 B
存取时间(Max)
70 ns
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
0 ℃
电源电压
4.5V ~ 5.5V
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
4.5 V

SST39SF040-70-4C-PHE 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
42.04 mm
宽度
13.97 mm
高度
3.81 mm
工作温度
0℃ ~ 70℃

SST39SF040-70-4C-PHE 数据手册

Microchip(微芯)
2 页 / 0.14 MByte
Microchip(微芯)
12 页 / 0.24 MByte
Microchip(微芯)
28 页 / 0.28 MByte
Microchip(微芯)
2 页 / 0.1 MByte

SST39SF040704 数据手册

Microchip(微芯)
MICROCHIP  SST39SF040-70-4C-NHE  闪存, 4 Mbit, 512K x 8位, 14 MHz, 并行, LCC, 32 引脚
Microchip(微芯)
SST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点4.5-5.5V 读写操作 寿命 - 100,000 次循环(典型) 低功耗 - 有源电流 10 mA,待机电流 30 μA(14 MHz 时的典型值) 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 至 70 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间:70 ms(典型) 字节编程时间 - 14 μs(典型) 芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒(典型值) 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 TTL 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存,Microchip
Microchip(微芯)
MICROCHIP  SST39SF040-70-4I-NHE  闪存, 或非, 4 Mbit, 512K x 8位, LCC, 32 引脚
Microchip(微芯)
SST39SF 系列 4 Mb 512 K x 8 5 V 多用途 闪存 - TSOP-32
Microchip(微芯)
MICROCHIP  SST39SF040-70-4I-WHE  闪存, 或非, 4 Mbit, 512K x 8位, TSOP, 32 引脚
Microchip(微芯)
NOR闪存 4.5 to 5.5 4Mbit Multi-Purpose Flash
Silicon Strorage Technology
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