￥ 0.362

STD2NK100Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

STMICROELECTRONICS STD2NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.85 A, 1 kV, 6.25 ohm, 10 V, 3.75 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STD2NK100Z 数据手册 (16 页)

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STD2NK100Z 数据手册 (16 页)

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STD2NK100Z 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

6.25 Ω

极性

N-Channel

功耗

70 W

阈值电压

3.75 V

漏源极电压(Vds)

1 kV

上升时间

6.5 ns

输入电容值(Ciss)

499pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

70 W

下降时间

32.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

70W (Tc)

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STD2NK100Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.6 mm

宽度

6.2 mm

高度

2.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STD2NK100Z 符合标准

STD2NK100Z 海关信息

STD2NK100Z 概述

STD2NK100Z 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.43 MByte

STD2NK100Z 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

3 页 / 0.31 MByte

STD2NK100Z 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

5 页 / 0.04 MByte

STD2NK100 数据手册

STD2NK100Z 数据手册

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STMICROELECTRONICS STD2NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.85 A, 1 kV, 6.25 ohm, 10 V, 3.75 V

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