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STGW39NC60VD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-247-3

描述:

STMICROELECTRONICS STGW39NC60VD 单晶体管, IGBT, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STGW39NC60VD 数据手册 (15 页)

封装尺寸在12 页 13 页

STGW39NC60VD 数据手册 (15 页)

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STGW39NC60VD 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

40.0 A

封装

TO-247-3

额定功率

250 W

针脚数

3 Position

极性

N-Channel

功耗

250 W

栅电荷

126 nC

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

40.0 A

上升时间

13 ns

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

反向恢复时间

45 ns

额定功率(Max)

250 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

250 W

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STGW39NC60VD 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.75 mm

宽度

5.15 mm

高度

20.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STGW39NC60VD 符合标准

STGW39NC60VD 海关信息

STGW39NC60VD 概述

STGW39NC60VD 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 0.41 MByte

STGW39NC60VD 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

20 页 / 2.6 MByte

STGW39NC60VD 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.31 MByte

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