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STN4NF03L
0.114
STN4NF03L 数据手册 (9 页)
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STN4NF03L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
6.50 A
封装
TO-261-4
额定功率
3.3 W
针脚数
4 Position
漏源极电阻
0.039 Ω
极性
N-Channel
功耗
3.3 W
阈值电压
1 V
输入电容
330 pF
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
±16.0 V
连续漏极电流(Ids)
6.50 A
上升时间
100 ns
输入电容值(Ciss)
330pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.3 W
下降时间
22 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3300 mW

STN4NF03L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
3.5 mm
高度
1.8 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STN4NF03L 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
9 页 / 0.16 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
53 页 / 0.88 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.04 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
8 页 / 0.09 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.13 MByte

STN4NF03 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.039ohm - 6.5A SOT- 223 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.039ohm - 6.5A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STN4NF03L  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 30 V, 0.039 ohm, 10 V, 1 V
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