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STP140NF75
2.604
STP140NF75 数据手册 (18 页)
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STP140NF75 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
75.0 V
额定电流
120 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0075 Ω
极性
N-Channel
功耗
310 W
阈值电压
4 V
输入电容
5000 pF
漏源极电压(Vds)
75 V
漏源击穿电压
75.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
120 A
上升时间
140 ns
输入电容值(Ciss)
5000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
310 W
下降时间
90 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
310W (Tc)

STP140NF75 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
9.15 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STP140NF75 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
18 页 / 0.5 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
20 页 / 2.6 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
30 页 / 0.31 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.16 MByte

STP140 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP140NF75  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 7.5 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ F7 系列,STMicroelectronicsSTMicroelectronics STripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低设备通态电阻,内部电容和栅极电荷降低,以便更快、更高效地切换。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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