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STP36NF06L
0.645
STP36NF06L 数据手册 (14 页)
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STP36NF06L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
30.0 A
封装
TO-220-3
额定功率
70 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.032 Ω
极性
N-Channel
功耗
70 W
阈值电压
2.5 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±18.0 V
连续漏极电流(Ids)
30.0 A
上升时间
80 ns
输入电容值(Ciss)
660pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
70 W
下降时间
13 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
70W (Tc)

STP36NF06L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
9.15 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STP36NF06L 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
14 页 / 0.42 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
20 页 / 2.6 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
30 页 / 0.31 MByte

STP36NF06 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP36NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP36NF06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 2.5 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP36NF06FP  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 60 V, 40 mohm, 10 V, 4 V
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