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STP55NF06 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP55NF06 数据手册 (12 页)

封装尺寸在9 页 10 页 11 页

STP55NF06 数据手册 (12 页)

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STP55NF06 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

50.0 A

封装

TO-220-3

额定功率

110 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.015 Ω

极性

N-Channel

功耗

30 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

50.0 A

上升时间

50 ns

输入电容值(Ciss)

1300pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

110 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

110W (Tc)

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STP55NF06 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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STP55NF06 符合标准

STP55NF06 概述

STP55NF06 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

12 页 / 0.39 MByte

STP55NF06 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

20 页 / 2.6 MByte

STP55NF06 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

20 页 / 0.75 MByte

STP55NF06 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

4 页 / 0.01 MByte

STP55NF06 产品手册

ST Microelectronics（意法半导体）

12 页 / 0.47 MByte

STP55NF06 其他参考文件

ST Microelectronics（意法半导体）

1 页 / 0.16 MByte

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STMICROELECTRONICS STP55NF06FP 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 18 mohm, 10 V, 3 V

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N - 沟道增强型单一特征尺寸功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET

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N - 沟道增强型单一特征尺寸功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET

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N沟道30V - 0.01欧姆 - 55A TO- 220 / D2PAK / I2PAK的STripFET ？二功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.01 ohm - 55A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET? II POWER MOSFET

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n沟道增强模式低阈值功率MOS晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR

STP55NF06L_06 数据手册

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N沟道60V - 0.014ヘ - 55A TO- 220 / D2PAK / I2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.014ヘ - 55A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET

STP55NF06LFP 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道60V - 0.014ohm - 55A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK STripFET⑩II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 55A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK STripFET⑩II POWER MOSFET

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