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STW25NM60ND
0.725
STW25NM60ND 数据手册 (21 页)
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STW25NM60ND 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.13 Ω
极性
N-Channel
功耗
160 W
阈值电压
4 V
输入电容
2400 pF
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
21A
上升时间
30 ns
输入电容值(Ciss)
2400pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
160 W
下降时间
40 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
160W (Tc)

STW25NM60ND 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.75 mm
宽度
5.15 mm
高度
20.15 mm
工作温度
150℃ (TJ)

STW25NM60ND 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
21 页 / 0.63 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
22 页 / 0.61 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
32 页 / 0.51 MByte

STW25NM60 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V 0.140-20A TO- 220 / FP / DAK / TO- 247第二代的MDmesh MOSFET N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
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