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STW4N150
2.335
STW4N150 数据手册 (9 页)
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STW4N150 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
1.50 kV
额定电流
4.00 A
封装
TO-247-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
7 Ω
极性
N-Channel
功耗
160 W
阈值电压
4 V
输入电容
1.30 nF
栅电荷
50.0 nC
漏源极电压(Vds)
1500 V
漏源击穿电压
1.50 kV
连续漏极电流(Ids)
4.00 A
上升时间
30 ns
输入电容值(Ciss)
1300pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
160 W
下降时间
45 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
160000 mW

STW4N150 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.75 mm
宽度
5.15 mm
高度
20.15 mm
工作温度
150℃ (TJ)

STW4N150 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
9 页 / 0.1 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
20 页 / 2.6 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
30 页 / 0.31 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.12 MByte

STW4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STW45NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 550 V, 100 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STW48NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 39 A, 600 V, 0.055 ohm, 10 V, 3.2 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STW4N150  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1.5 kV, 7 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STW43NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 600 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STW40NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N-沟道 650 V 0.07 Ω 300 W 法兰安装 MDmesh M2 功率 Mosfet - TO-247-3
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