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SZMMBZ5V6ALT1G
0.028
SZMMBZ5V6ALT1G 数据手册 (7 页)
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SZMMBZ5V6ALT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
工作电压
3 V
封装
SOT-23-3
击穿电压
5.6 V
通道数
2 Channel
针脚数
3 Position
功耗
0.3 W
钳位电压
8 V
测试电流
20 mA
最大反向击穿电压
5.88 V
脉冲峰值功率
24 W
最小反向击穿电压
5.32 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温
-55℃ ~ 150℃
耗散功率(Max)
300 mW

SZMMBZ5V6ALT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SZMMBZ5V6ALT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.15 MByte

SZMMBZ5V6ALT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
24W 双齐纳瞬态电压抑制器,ON SemiconductorSOT-23 双共阳极齐纳,用于 ESD 防护。 旨在用于电压和 ESD 敏感设备,如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
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