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TIP122TU_F129
0.236
TIP122TU_F129 数据手册 (5 页)
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TIP122TU_F129 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220
极性
NPN
功耗
2000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
集电极最大允许电流
5A
最小电流放大倍数
1000 @0.5A, 3V|1000 @3A, 3V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
2000 mW

TIP122TU_F129 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Rail
高度
9.4 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃

TIP122TU_F129 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.52 MByte

TIP122 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  TIP122  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 65 W, 5 A, 1000 hFE
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  TIP122  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 65 W, 5 A, 1000 hFE
Multicomp
MULTICOMP  TIP122  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 65 W, 5 A, 1000 hFE
CJ(长电科技)
NPN型达林顿管
ON Semiconductor(安森美)
塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
SLKOR(韩国萨科微)
达林顿管NPN,Vceo=100V,Ic=5A
Solid State
SOLID STATE  TIP122  双极性晶体管, NPN, 100V, TO-220
TI(德州仪器)
UTC(友顺)
NPN外延型晶体管
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
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