Web Analytics
Datasheet 搜索 > FET驱动器 > TI(德州仪器) > UCC27524DR Datasheet 文档
UCC27524DR
器件3D模型
0.257
UCC27524DR 数据手册 (43 页)
查看文档
或点击图片查看大图

UCC27524DR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
4.50V (min)
封装
SOIC-8
上升/下降时间
7ns, 6ns
输出接口数
2 Output
针脚数
8 Position
上升时间
18 ns
下降时间
10 ns
下降时间(Max)
10 ns
上升时间(Max)
18 ns
工作温度(Max)
140 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
4.5V ~ 18V
电源电压(Max)
18 V
电源电压(Min)
4.5 V

UCC27524DR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 140℃ (TJ)

UCC27524DR 数据手册

TI(德州仪器)
43 页 / 2.02 MByte
TI(德州仪器)
37 页 / 1.61 MByte

UCC27524 数据手册

TI(德州仪器)
双路 5A 高速低侧电源 MOSFET 驱动器
TI(德州仪器)
双5 -A高速低侧栅极驱动器 Dual 5-A High-Speed Low-Side Gate Driver
TI(德州仪器)
双5 -A高速低侧栅极驱动器 Dual 5-A High-Speed Low-Side Gate Driver
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  UCC27524D  门驱动器, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 5A输出, 13ns延迟, SOIC-8
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  UCC27524DGN  驱动器, IGBT, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 5A输出, 13ns延迟, MSOP-8
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  UCC27524P  驱动器, IGBT, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 5A输出, 6ns延迟, DIP-8
TI(德州仪器)
双5 -A高速低侧栅极驱动器 Dual 5-A High-Speed Low-Side Gate Driver
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  UCC27524AD  芯片, IGBT/MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 5A输出, SOIC-8
TI(德州仪器)
门驱动器 Dual Hi-Spd Low-Side Pwr MOSFET Dvr 5A
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  UCC27524ADGN  芯片, IGBT/MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 5A输出, MSOP-8
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: UCC27524 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z