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ULN2002A
器件3D模型
0.543
ULN2002A 数据手册 (16 页)
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ULN2002A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
16 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
500 mA
封装
DIP-16
输出电压
50 V
输出电流
500 mA
针脚数
16 Position
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
1000 @350mA, 2V
直流电流增益(hFE)
1000
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
输入电压
13 V

ULN2002A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
20 mm
宽度
7.1 mm
高度
5.1 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

ULN2002A 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
16 页 / 0.9 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.2 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
8 页 / 0.33 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.13 MByte

ULN2002 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
七达林顿阵列 Seven Darlington array
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  ULN2002A  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  ULN2002D1013TR  双极晶体管阵列, 达林顿, 双NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  ULN2002AN  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, DIP
TI(德州仪器)
高压大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
Diodes(美台)
TI(德州仪器)
高电压、大电流达林顿晶体管阵列
Diodes(美台)
达林顿晶体管 HV DarArray 5, 25V 7Drivers 500mA 250ns
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