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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ST Microelectronics(意法半导体) > ULN2003A Datasheet 文档
ULN2003A
器件3D模型
0.133
ULN2003A 数据手册 (16 页)
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ULN2003A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
16 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
500 mA
封装
DIP-16
输出接口数
7 Output
输出电压
≤50.0 V
通道数
7 Channel
针脚数
16 Position
极性
NPN
功耗
2.25 W
输入电容
15.0 pF
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
最小电流放大倍数
1000 @350mA, 2V
输出电流(Max)
500 mA
直流电流增益(hFE)
1000
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃

ULN2003A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
20 mm
宽度
7.1 mm
高度
5.1 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)

ULN2003A 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
16 页 / 0.9 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
4 页 / 0.78 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.04 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.13 MByte

ULN2003 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
七达林顿阵列 Seven Darlington array
UTC(友顺)
达林顿晶体管 High Voltage High Current Darlington
ON Semiconductor(安森美)
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  ULN2003ADR  双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  ULN2003AN  双极晶体管阵列, 达林顿晶体管, NPN, 50 V, 500 mA, DIP
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  ULN2003A  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  ULN2003D1013TR  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  ULN2003ADR2G.  达林顿晶体管 阵列, NPN, X7, 50V, 16-SOIC
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