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器件3D模型
¥ 0.169
ULN2003AN 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
双极性晶体管
封装:
PDIP-16
描述:
TEXAS INSTRUMENTS ULN2003AN 双极晶体管阵列, 达林顿晶体管, NPN, 50 V, 500 mA, DIP
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
ULN2003AN 数据手册 (35 页)
引脚图
在
3 页
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封装尺寸
在
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21 页
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ULN2003AN 数据手册
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ULN2003AN 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
16 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
500 mA
封装
PDIP-16
输出接口数
7 Output
输出电压
50 V
输出电流
0.6 A
通道数
7 Channel
针脚数
16 Position
正向电压
1.70 V
输入电流
930 µA
极性
NPN
功耗
25 W
输入电容
15.0 pF
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
驱动器/包
7
集电极最大允许电流
0.5A
输入电压(Max)
5 V
输出电压(Max)
50 V
输出电流(Max)
500 mA
直流电流增益(hFE)
600
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
-20 ℃
输入电压
30 V
查看数据手册 >
ULN2003AN 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
19.3 mm
宽度
6.35 mm
高度
4.57 mm
工作温度
-20℃ ~ 70℃
查看数据手册 >
ULN2003AN 符合标准
ULN2003AN 海关信息
ULN2003AN 概述
●
德州仪器的ULN2003AN系列为通孔安装高电压高电流的达林顿晶体管阵列, PDIP封装. 每个包含七个NPN达林顿对, 具有高电压共射和集电极开路输出, 带有普通阴极钳位二极管用于转换电感性负载. 此单个达林顿对的集电极电流额定值为500mA, 同时达林顿对可并行用于更高电流性能. ULN2003A设备包含一个2.7Kohm 系列基极电阻用于每一个达林顿对, 以直接运行TTL或5V CMOS设备. 典型应用包括继电器驱动器, 锤驱动器, 灯驱动器, 显示器驱动器 (LED和气体放电), 线路驱动器和逻辑缓冲器.
●
高电压输出: 50V
●
兼容多种类型逻辑输入
●
350mA集电极电流时, 通导输入电压: 3V
●
350mA集电极电流时, 集电极到发射极饱和电压:1.2V
●
工作温度范围: -20°C至70°C
●
集电极电流(Ic): 500mA (单路输出)
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ULN2003AN
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TI(德州仪器)
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28 页 / 1.71 MByte
ULN2003AN
产品修订记录
TI(德州仪器)
6 页 / 0.41 MByte
ULN2003AN
其他参考文件
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TEXAS INSTRUMENTS ULN2003ADR 双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
ULN2003
AN
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TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS ULN2003AN 双极晶体管阵列, 达林顿晶体管, NPN, 50 V, 500 mA, DIP
ULN2003
A
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS ULN2003A 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP
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STMICROELECTRONICS ULN2003D1013TR 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
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ON SEMICONDUCTOR ULN2003ADR2G. 达林顿晶体管 阵列, NPN, X7, 50V, 16-SOIC
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