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VNP10N06 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

FET驱动器

封装:

TO-220-3

描述:

？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VNP10N06 数据手册 (11 页)

原理图在1 页

VNP10N06 数据手册 (11 页)

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VNP10N06 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

10.0 A

封装

TO-220-3

输出接口数

1 Output

漏源极电阻

150 mΩ

功耗

42.0 W

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

输出电流(Max)

6 A

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VNP10N06 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

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VNP10N06 符合标准

VNP10N06 概述

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ST Microelectronics（意法半导体）

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