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IRF3708S 其他数据使用手册 - International Rectifier（国际整流器）
制造商:
International Rectifier（国际整流器）
分类:
MOS管
封装:
TO-263
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IRF3708S数据手册
Page:
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IRF3708/3708S/3708L
4 www.irf.com
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
1 10 100
0
700
1400
2100
2800
3500
V , Drain-to-Source Volta
g
e (V)
C, Capacitance (pF)
DS
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
f = 1MHz
+ C
+ C
C SHORTED
GS
iss
g
s
g
d , ds
rss
g
d
oss ds
g
d
C
iss
C
oss
C
rss
0 10 20 30 40 50
0
2
4
6
8
10
Q , Total Gate Char
g
e (nC)
V , Gate-to-Source Voltage (V)
G
GS
I =
D
24.8A
V = 15V
DS
0.1
1
10
100
1000
0.2 0.8 1.4 2.0 2.6
V ,Source-to-Drain Volta
g
e (V)
I , Reverse Drain Current (A)
SD
SD
V = 0 V
GS
T = 25 C
J
°
T = 175 C
J
°
1
10
100
1000
0.1 1 10 100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS
(
on
)
Single Pulse
T
T
= 175 C
= 25 C
°
°
J
C
V , Drain-to-Source Volta
g
e (V)
I , Drain Current (A)I , Drain Current (A)
DS
D
10us
100us
1ms
10ms
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