NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管通用晶体管双 NPN 和 PNP 晶体管功率晶体管高电压晶体管射频双极晶体管低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管

MMBT5551L

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7 页

ON Semiconductor（安森美）

MMBT5551M3T5G

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6 页

ON Semiconductor（安森美）

NPN高压晶体管 NPN High Voltage Transistor

MMBT5551LT1

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6 页

ON Semiconductor（安森美）

高压晶体管（ NPN硅） High Voltage Transistors(NPN Silicon)

MMBT5551LT1

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6 页

Motorola（摩托罗拉）

MMBT5551-7-F

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4 页

Diodes Zetex（捷特科）

NPN 晶体管，Diodes Inc### 双极晶体管，Diodes Inc### 晶体管，Diodes Inc

MMBT5551-TP

数据手册

2 页

Micro Commercial Components（美微科）

MICRO COMMERCIAL COMPONENTS MMBT5551-TP 双极性晶体管, NPN, 160VDC, SOT-23

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MMBT5551 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

300 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

160 V

额定电流

600 mA

MMBT5551 概述

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 180V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 160V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 600mA/0.6A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100Mhz~300Mhz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 30~250 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 150mV~250mV 耗散功率PcPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| • This device is designed for general purpose high voltage amplifiers and gas discharge display drivers. • Suffix “-C” means Center Collector in 2N5551 (1. Emitter 2. Collector 3. Base) • Suffix “-Y” means hFE 180~240 in 2N5551 (Test condition : IC = 10mA, VCE = 5.0V) 描述与应用| 这个装置是专为通用高电压放大器和气体放电显示驱动程序。 •后缀“-C”指中心集电极2N5551（1集电极发射23。基地） •后缀“-Y”表示HFE180〜2402N5551（测试条件：IC=10mA时，VCE= 5.0V）

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