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2N3055AG
4.005
2N3055AG 数据手册 (7 页)
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2N3055AG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
6 MHz
引脚数
2 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
15.0 A
封装
TO-204-2
针脚数
2 Position
极性
NPN
功耗
115 W
增益频宽积
6 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
热阻
1.52℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流
15A
最小电流放大倍数
10 @4A, 2V
最大电流放大倍数
70
额定功率(Max)
115 W
直流电流增益(hFE)
70
工作温度(Max)
200 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
115000 mW

2N3055AG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
材质
Silicon
长度
39.37 mm
宽度
26.67 mm
高度
8.51 mm
工作温度
-65℃ ~ 200℃

2N3055AG 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.16 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.13 MByte

2N3055 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  2N3055  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 3 MHz, 115 W, 15 A, 70 hFE
ON Semiconductor(安森美)
互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power Transistors
Solid State
双极性晶体管, NPN, 60V, TO-3
Multicomp
MULTICOMP  2N3055  单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 800 kHz, 115 W, 15 A, 5 hFE
Motorola(摩托罗拉)
NTE Electronics
Central Semiconductor
Microsemi(美高森美)
NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
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