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2SA1943N
0.417
2SA1943N 数据手册 (6 页)
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2SA1943N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-3
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
230 V
集电极最大允许电流
15A
耗散功率(Max)
150 W

2SA1943N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

2SA1943N 数据手册

Toshiba(东芝)
6 页 / 0.15 MByte

2SA1943 数据手册

Toshiba(东芝)
ON Semiconductor(安森美)
UTC(友顺)
PNP 硅晶体管
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor
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CJ(长电科技)
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