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器件3D模型
¥ 0.06
CSD25484F4 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
MOS管
封装:
PICOSTAR-3
描述:
CSD25484F4 20V P 通道 FemtoFET™ MOSFET
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
CSD25484F4 数据手册 (15 页)
引脚图
在
8 页
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封装尺寸
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CSD25484F4 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
PICOSTAR-3
极性
P-CH
功耗
0.5 W
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
2.5A
上升时间
5 ns
输入电容值(Ciss)
230pF @10V(Vds)
下降时间
8.5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500mW (Ta)
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CSD25484F4 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃
View Datasheet >
CSD25484F4 符合标准
CSD25484F4 概述
●
这款 80mΩ,–20V P 通道 FemtoFET MOSFET 被设计且被优化,以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。 这个技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时,替代标准的小信号 MOSFET。
●
低导通电阻
●
超低 Qg 和 Qgd
●
低阈值电压
●
超小型封装尺寸(0402 外壳尺寸)
●
1.0mm × 0.6mm
●
超薄
●
高度 0.2mm
●
集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
●
额定值 > 4kV 人体放电模式 (HBM)
●
额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)
●
无铅且无卤素
●
符合 RoHS 环保标准
●
## 应用范围
●
针对负载开关应用进行了优化
●
针对通用开关应用进行了优化
●
电池类应用
●
手持式和移动类应用
●
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