￥ 2.032

STD16N65M5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

STMICROELECTRONICS STD16N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 650 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STD16N65M5 数据手册 (19 页)

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STD16N65M5 数据手册 (19 页)

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STD16N65M5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.23 Ω

极性

N-Channel

功耗

90 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

12A

上升时间

7 ns

输入电容值(Ciss)

1250pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

90 W

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

90W (Tc)

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STD16N65M5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

6.6 mm

宽度

6.2 mm

高度

2.4 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STD16N65M5 符合标准

STD16N65M5 海关信息

STD16N65M5 概述

STD16N65M5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 1.33 MByte

STD16N65M5 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

3 页 / 0.31 MByte

STD16N65M5 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 0.82 MByte

STD16N65M5 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

5 页 / 0.04 MByte

STD16N65 数据手册

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N沟道 650V 11A

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