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IR2213SPBF
器件3D模型
5.479
IR2213SPBF 数据手册 (18 页)
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IR2213SPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
16 Pin
电源电压
12.0V (min)
封装
SOIC-16
上升/下降时间
25ns, 17ns
输出接口数
2 Output
输出电压
12.20 V
输出电流
1.7 A
通道数
2 Channel
针脚数
16 Position
功耗
1000 mW
静态电流
180 µA
上升时间
25 ns
下降时间
17 ns
下降时间(Max)
17 ns
上升时间(Max)
25 ns
工作温度(Max)
125 ℃
耗散功率(Max)
1000 mW
电源电压
12V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
12 V

IR2213SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.5 mm
宽度
7.6 mm
高度
2.35 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IR2213SPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
18 页 / 1.17 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 7.29 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.1 MByte

IR2213 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
高端和低端驱动器 HIGH AND LOW SIDE DRIVER
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2213SPBF  双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 12V-20V电源, 2.5A输出, 225ns延迟, SOIC-16
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2213PBF  双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 12V-20V电源, 2.5A输出, 225ns延迟, DIP-14
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2213PBF  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, DIP-14 新
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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