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IRF520N
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IRF520N 数据手册 (9 页)
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IRF520N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
极性
N-CH
功耗
48W (Tc)
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
9.7A
输入电容值(Ciss)
330pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
48W (Tc)

IRF520N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF520N 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.11 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.2 MByte

IRF520 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Harris
N沟道 100V 9.2A
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 11 A, 60〜100 V N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 100V 9.2A
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Motorola(摩托罗拉)
N沟道 100V 9.2A
Intersil(英特矽尔)
9.2A , 100V , 0.270 Ohm的N通道功率MOSFET 9.2A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFET
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