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IRF520PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-220

描述:

VISHAY IRF520PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 100 V, 270 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF520PBF 数据手册 (8 页)

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IRF520PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

9.20 A

封装

TO-220

额定功率

70 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.27 Ω

极性

N-Channel

功耗

60 W

阈值电压

4 V

输入电容

360pF @25V

漏源极电压(Vds)

100 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

9.20 A

上升时间

30 ns

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

View Datasheet >

IRF520PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

长度

10.51 mm

高度

15.49 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

View Datasheet >

IRF520PBF 符合标准

IRF520PBF 海关信息

IRF520PBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

8 页 / 0.12 MByte

IRF520PBF 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

20 页 / 2.6 MByte

IRF520PBF 产品修订记录

Vishay Semiconductor（威世）

3 页 / 0.14 MByte

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