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IRF520N
0.251
IRF520N 数据手册 (9 页)
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IRF520N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
100 V
额定电流
9.70 A
封装
TO-220
漏源极电阻
200 mΩ (max)
零部件系列
IRF520N
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100V (min)
连续漏极电流(Ids)
9.70 A
上升时间
23.0 ns

IRF520N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk

IRF520N 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.11 MByte
International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.18 MByte

IRF520 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Harris
N沟道 100V 9.2A
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 11 A, 60〜100 V N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 100V 9.2A
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Motorola(摩托罗拉)
N沟道 100V 9.2A
Intersil(英特矽尔)
9.2A , 100V , 0.270 Ohm的N通道功率MOSFET 9.2A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFET
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