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IRF640NS
0.348
IRF640NS 数据手册 (12 页)
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IRF640NS 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
200 V
额定电流
18.0 A
封装
D2PAK-263
漏源极电阻
150 mΩ (max)
极性
N-Channel
功耗
150 W
零部件系列
IRF640NS
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
200V (min)
连续漏极电流(Ids)
18.0 A
上升时间
19.0 ns

IRF640NS 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)

IRF640NS 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
12 页 / 0.23 MByte
International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.23 MByte

IRF640 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO- 220 / TO- 220FP MESH合成] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY] MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Fairchild(飞兆/仙童)
18A , 200V , 0.180 Ohm的N通道功率MOSFET 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
NXP(恩智浦)
N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor
Infineon(英飞凌)
National Semiconductor(美国国家半导体)
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