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IRF840PBF
0.203
IRF840PBF 数据手册 (8 页)
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IRF840PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
额定电压(DC)
500 V
额定电流
8.00 A
封装
TO-220
漏源极电阻
850 mΩ
极性
N-Channel
功耗
125 W
漏源击穿电压
500 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
8.00 A

IRF840PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk

IRF840PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.88 MByte
International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.25 MByte
International Rectifier(国际整流器)
7 页 / 0.87 MByte

IRF840 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道增强型功率MOS晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Motorola(摩托罗拉)
N沟道 500V 8A
CJ(长电科技)
MOS场效应管 IRF840 TO-220-3L
TI(德州仪器)
0.9 -A恒流电源带PFC的100W的LED A 0.9-A Constant Current Supply with PFC for 100-W LED
Advanced Power Electronics(富鼎先进电子)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
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