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MMSF3P02HDR2G
器件3D模型
0.01
MMSF3P02HDR2G 数据手册 (10 页)
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MMSF3P02HDR2G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
-20.0 V
额定电流
-3.00 A
封装
SOIC-8
漏源极电阻
0.06 Ω
极性
P-Channel
功耗
2.5 W
阈值电压
1.5 V
输入电容
1.40 nF
栅电荷
46.0 nC
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
5.60 A
上升时间
135 ns
输入电容值(Ciss)
1400pF @16V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta)

MMSF3P02HDR2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMSF3P02HDR2G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.2 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.14 MByte

MMSF3P02HDR2 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 3安培, 20伏P沟道SO- 8 Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts P−Channel SO−8
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
P 通道功率 MOSFET,20V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
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