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RRQ045P03FRATR
2.274
RRQ045P03FRATR 数据手册 (14 页)

RRQ045P03FRATR 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TSMT
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.025 Ω
极性
P-Channel
功耗
1.25 W
工作温度(Max)
150 ℃

RRQ045P03FRATR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

RRQ045P03FRATR 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
14 页 / 0.75 MByte

RRQ045P03 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
RRQ045P03 P沟道MOS场效应管 -30V -4.5A 53毫欧 SOT-153 marking/标记 UB 低导通电阻 高功率封装 高速开关
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
P-沟道 30 V 35 mOhm 1.25 W 表面贴装 Mosfet - T表面贴装-6
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管, MOSFET, P沟道, -4.5 A, -30 V, 0.025 ohm, -10 V, -2.5 V
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