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AO3407L 其他数据使用手册 - Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）
制造商:
Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）
分类:
MOS管
封装:
SOT-23-3
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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电气规格在P2
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AO3407L数据手册
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AO3407
30V P-Channel MOSFET
General Description Product Summary
V
DS
I
D
(at V
GS
= -10V) -4.1A
R
DS(ON)
(at V
GS
= -10V) < 52mΩ
R
DS(ON)
(at V
GS
= -4.5V) < 87mΩ
Symbol
V
DS
The AO3407 uses advanced trench technology to provide
excellent R
DS(ON)
with low gate charge. This device is
suitable for use as a load switch or in PWM applications.
V
Maximum UnitsParameter
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
-30V
Drain-Source Voltage -30
SOT23
Top View Bottom View
D
G
S
G
S
D
G
D
S
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
t ≤ 10s
Steady-State
Steady-State
R
θJL
1.4
Maximum Junction-to-Lead
°C/W
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A D
63
125
80
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
A
I
D
-4.1
-3.5
-25
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Pulsed Drain Current
C
Continuous Drain
Current
V±20Gate-Source Voltage
Parameter Typ Max
°C/W
R
θJA
70
100
90
0.9
T
A
=70°C
Junction and Storage Temperature Range -55 to 150 °C
Thermal Characteristics
Power Dissipation
B
P
D
T
A
=25°C
W
Rev 5: Nov 2011
www.aosmd.com Page 1 of 5
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