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BAS116E6327
0.13
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BAS116E6327数据手册
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2007-04-19
1
BAS116...
Silicon Low Leakage Diode
Low-leakage applications
Medium speed switching times
Pb-free (RoHS compliant) package
1)
Qualified according AEC Q101
BAS116
!
Type Package Configuration Marking
BAS116 SOT23 single JVs
Maximum Ratings at T
A
= 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Value Unit
Diode reverse voltage V
R
80 V
Peak reverse voltage V
RM
85
Forward current I
F
250 mA
Non-repetitive peak surge forward current
t = 1 µs
t = 1 s
I
FSM
4.5
0.5
A
Total power dissipation
T
S
54°C
P
tot
370 mW
Junction temperature T
j
150 °C
Storage temperature T
stg
-65 ... 150
Thermal Resistance
Parameter Symbol Value Unit
Junction - soldering point
2)
BAS116
R
thJS
260
K/W
1
Pb-containing package may be available upon special request
2
For calculation of R
thJA
please refer to Application Note Thermal Resistance

BAS116E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.06 MByte
Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.06 MByte
Infineon(英飞凌)
4 页 / 0.42 MByte

BAS116 数据手册

CJ(长电科技)
BAS116 编带
Infineon(英飞凌)
InfineonInfineon 的低泄漏二极管,提供单和双配置。 这些设备提供比标准小信号二极管显著较低的反向泄漏电流### 二极管和整流器,Infineon
NXP(恩智浦)
NXP  BAS116  二极管 小信号, 单, 85 V, 215 mA, 1.25 V, 3 µs, 4 A
Nexperia(安世)
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
Taiwan Semiconductor### 二极管和整流器,Taiwan Semiconductor
Multicomp
MULTICOMP  BAS116  二极管 小信号, 单, 85 V, 215 mA, 1.25 V, 3 µs, 4.5 A
Vishay Semiconductor(威世)
Multicomp
二极管 小信号, 单, 85 V, 500 mA, 1.25 V, 4 A
ON Semiconductor(安森美)
BAS116 开关二极管 75V 200mA/0.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 JVC 中速开关
Diodes(美台)
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