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CSD13202Q2 其他数据使用手册 - TI（德州仪器）
制造商:
TI（德州仪器）
分类:
MOS管
封装:
WSON-FET-6
描述:
N 通道功率 MOSFET、CSD13202Q2、12V Vd、9.3mΩ 导通电阻 (Rdson)/4.5V（最大值）
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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CSD13202Q2数据手册
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V
CC
PWM1
+I
s1
-I
s2
+I
s2
-I
s2
PWM2
V
OUT
SS
RT
V
CC
V
OUT
V
OUT
V
IN
Multiphase
Controller
CSD95472
CSD95472
P
GND
TSEN
Output Current (A)
Efficiency (%)
Power Loss (W)
0 10 20 30 40 50 60
30 0
40 2
50 4
60 6
70 8
80 10
90 12
100 14
D000
V
DD
= 5 V
V
IN
= 12 V
V
OUT
= 1.2 V
L
OUT
= 0.225
PH
f
SW
= 500 kHz
T
A
= 25
qC
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English Data Sheet: SLPS599
CSD95472Q5MC
ZHCSEM4 –FEBRUARY 2016
CSD95472Q5MC 同同步步降降压压 NexFET™智智能能功功率率级级
1
1 特特性性
1
• 60A 持续运行电流能力
• 1.2V/30A 下系统效率达 94.4%
• 30A 电流下功率损耗低至 2.3W
• 高频工作（高达 1.25MHz）
• 支持强制连续传导模式 (FCCM) 的二极管仿真模式
• 温度补偿双向电流感测
• 模拟温度输出（0°C 时 600mV）
• 故障监控
– 高端短路、过流和过热保护
• 3.3V 和 5V 脉宽调制 (PWM) 信号兼容
• 三态 PWM 输入
• 集成型自举二极管
• 优化了击穿保护死区时间
• 高密度小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 封装
• 超低电感封装
• 系统优化的 PCB 封装
• DualCool™封装
• 符合 RoHS 标准 - 无铅引脚镀层
• 无卤素
(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。
2 应应用用
• 多相位同步降压转换器
– 高频 应用
– 高电流、低占空比 应用
• 负载点 (POL) 直流 - 直流转换器
• 内存和图形卡
3 说说明明
CSD95472Q5MC NexFET™智能功率级的设计针对高
功率、高密度同步降压转换器中的使用进行了高度优
化。这个产品集成了驱动器集成电路 (IC) 和功率金属
氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 来完善功率级
开关功能。这个组合在小型 5mm x 6mm 外形尺寸封
装中产生出高电流、高效和高速切换功能。它还集成了
准确电流感测和温度感测功能，以简化系统设计并提高
准确度。此外，已对 PCB 封装进行了优化以帮助减少
设计时间并简化总体系统设计的完成。
器器件件信信息息
(1)
器器件件 包包装装介介质质 数数量量 封封装装 运运输输
CSD95472Q5MC 13 英寸卷带 2500
SON 5 × 6mm
DualCool 封装
卷带封
装
CSD95472Q5MCT 7 英寸卷带 250
间隔
应应用用图图表表 典典型型功功率率级级效效率率与与功功率率损损耗耗
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