Datasheet 搜索 > MOS管 > TI（德州仪器） > CSD16401Q5T 数据手册 > CSD16401Q5T 其他数据使用手册 4/15 页
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CSD16401Q5T 其他数据使用手册 - TI（德州仪器）
制造商:
TI（德州仪器）
分类:
MOS管
封装:
8-VSON-CLIP
描述:
25V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、2.3mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
CSD16401Q5T数据手册
Page:
of 15 Go
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RC5T583S PCB 版图指南
2012 第 4 页
图.1-2 DC
DC 模块评价板格局示例(顶层)
(1) 部件的放置应尽量注意减小开关电流环路。 (图. 1-1 及 1-1：蓝色线，图. 1-2：红色线)。
(2) RC5T583S 与电感间的 LX 线布线应尽可能短和宽，并且不应在其上面添加其他不相干的配线。
(3) 请将“Cout”的 GND 线用多重 via 直接连到内部 GND 层以尽可能地减小阻抗。(目标值：50mΩ 或以下)
(4) 请从靠近“Cout”而非“L”的地方开始 VOUT 布线。
(5) 请勿将每个 DCDC 的电感放置过于靠近，以避免其相互间的电磁干扰。
(2)
LX
Vout
L
Cout
(3)
(4)
(1)
(5)
(5)
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