￥ 4.934

FCPF11N60 其他参考文件 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF11N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 5 V

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FDPF10N50FT-ND

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FCP20N60-ND† 6.69 59.75 489.95 — — —

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600 0.6 10 7 31

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TO-252-4L -

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P ࢨܻ

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N ࢨܻ

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SC70-6 -

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RoHS

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N ࢨܻ

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0.3

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P ࢨܻ

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SC89-6 -

࠲

RoHS

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P ࢨܻ

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༺

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N ࢨܻ

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P ࢨܻ

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࠲

RoHS

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P ࢨܻ

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༺

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N ࢨܻ

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ؚ

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P ࢨܻ

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N ࢨܻ

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N ࢨܻ

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N ࢨܻ

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N ࢨܻ

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N ࢨܻ

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P ࢨܻ

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P ࢨܻ

60 0.185 10 9.4 2.5

FQU11P06TU-ND† .71 6.17 47.63 — — —

I2-PAK -

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RoHS

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N ࢨܻ

60 0.0032 10 120 231

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N ࢨܻ

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࢙ఋ

56 -

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RoHS

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23A

N ࢨܻ

25 0.00125 10 32 2.5

FDMS7558SCT-ND 3.15 27.00 220.50 FDMS7558STR-ND 3,000 1215.00/M

N ࢨܻ

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N ࢨܻ

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FDMS8670ASCT-ND 1.88 16.78 133.25 FDMS8670ASTR-ND 3,000 691.00/M

N ࢨܻ

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FDMS8670CT-ND 1.81 15.52 126.71 FDMS8670TR-ND 3,000 810.00/M

N ࢨܻ

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N ࢨܻ

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FDMS8672SCT-ND 1.34 12.00 95.26 FDMS8672STR-ND 3,000 494.00/M

N ࢨܻ

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N ࢨܻ

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N ࢨܻ

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FDMS86101CT-ND 2.73 23.40 191.10 FDMS86101TR-ND 3,000 1053.00/M

N ࢨܻ

30 0.0063 10 13.5 42

FDMS8880CT-ND .76 6.59 51.99 FDMS8880TR-ND 3,000 251.00/M

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PIN 1

ဇ 25 - 9-BGA

ဇ 24 - MicroFET 2 x 2,!

MicroFET SC-75

B ༺

A ܠ

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ဇ 26 - BGA 2.5 x 4.0

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FCPF11N60 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF11N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 5 V

FCPF11N60 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

600 V N 沟道 SuperFET

FCPF11N60NT 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

SupreMOS® MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比，其低 RDS（接通）和总栅极电荷让品质因素 (FOM) 降低了 40%。此外，SupreMOS 系列为相同的 RDS（接通）提供低栅极电荷，提供极佳的切换性能，切换和传导损耗降低 20%，从而获得更高的效率。这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FCPF11N60T 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

概述 General Description

FCPF11N60NT 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

SupreMOS® MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比，其低 RDS（接通）和总栅极电荷让品质因素 (FOM) 降低了 40%。此外，SupreMOS 系列为相同的 RDS（接通）提供低栅极电荷，提供极佳的切换性能，切换和传导损耗降低 20%，从而获得更高的效率。这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FCPF11N60F 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

N沟道 600V 11A

FCPF11N60F 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET

FCPF11N65 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

N沟道 650V 11A

FCPF11N60T 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FCPF11N60 数据手册