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￥ 1.4
FMMT619 其他数据使用手册 - Diodes（美台）
制造商:
Diodes（美台）
分类:
双极性晶体管
封装:
SOT-23
描述:
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 140 MHz, 625 mW, 2 A, 450 hFE
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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焊盘布局在P6
标记信息在P6
封装信息在P5P6
电气规格在P2P3P4
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FMMT619数据手册
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Features
-Low Saturation Voltage.
Collector-Base voltage
Collector-Emitter voltage
Emitter-Base voltage
Collector current-continuous
Power dissipation
Thermal resistance from junction to ambient
Junction temperature
Storage temperature range
Units
Symbol
Parameter
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
RθJA
TJ
TSTG
Value
50
50
5.0
2
350
357
150
-55 to +150
V
V
V
A
mW
°C/W
°C
°C
1
Base
2
Emitter
Collector
3
Diagram:
Dimensions in inches and (millimeter)
SOT-23
3
1 2
0.118(3.00)
0.110(2.80)
0.055(1.40)
0.047(1.20)
0.079(2.00)
0.071(1.80)
0.041(1.05)
0.035(0.90)
0.020(0.50)
0.012(0.30)
0.006(0.15)
0.003(0.08)
0.100(2.55)
0.089(2.25)
0.004(0.10) max
0.012(0.30)
0.020(0.50)
Maximum Ratings (at TA=25°C unless otherwise noted)
FMMT619-G (NPN)
RoHS Device
General Purpose Transistor
QW-BTR55
Page 1
REV A:
Comchip Technology CO., LTD.
Company reserves the right to improve product design , functions and reliability without notice.
Maximum power dissipation (Note 1)
Thermal resistance junction from to ambient (Note 1)
PCM
RθJA
625
200
mW
°C/W
Notes:
1. Maximum power dissipation is calculated assuming that the device is mounted on a ceramic substrate measuring 15*15*0.6mm.
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