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LM4755TSX/NOPB
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LM4755TSX/NOPB数据手册
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LM5109
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An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,
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English Data Sheet: SNVS477
LM5109B
ZHCSEV5C FEBRUARY 2007REVISED JANUARY 2016
LM5109B 高电电压 1A 峰值值半桥栅栅极驱动动器
1
1 特性
1
可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应
晶体管 (MOSFET)
1A 峰值输出电流(1.0A 灌电流和 1.0A 拉电流)
与独立的晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 和互补金属
氧化物半导体 (CMOS) 兼容的输入
自举电源电压高达 108VDC
短暂传播时间(典型值为 30ns
可以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
优异的传播延迟匹配(典型值为 2ns)
支持电源轨欠压锁定
低功耗
8 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 和耐热增强型 8
引脚晶圆级小外形无引线 (WSON) 封装
2 应用
电流反馈推挽式转换器
半桥和全桥电源转换器
固态电机驱动器
双开关正激电源转换器
3 说明
LM5109B 器件是一款经济高效的高电压栅极驱动器,
专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N
MOSFET 而设计。悬空
高侧驱动器能够在高达 90V 的电源轨电压下工作。输
出通过经济高效的 TTL
CMOS 兼容输入阈值独立控制。稳健可靠的电平转换
技术同时拥有高运行速度和低功耗特性,并且可提供从
控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器
件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。该器件
采用 8 引脚 SOIC 和耐热增强型 8 引脚 WSON
装。
器件件信
(1)
器件件编 封装 封装装尺寸((标称值值)
LM5109B
SOIC (8) 4.90mm x 3.91mm
WSON (8) 4.00mm x 4.00mm
(1) 要了解所有可用封装,请参见数据表末尾的可订购产品附录。
简化化应用示示意

LM4755TSX/NOPB 数据手册

TI(德州仪器)
29 页 / 1.55 MByte
TI(德州仪器)
25 页 / 1.51 MByte

LM4755 数据手册

TI(德州仪器)
具有静音功能的立体声 11W 音频功率放大器
TI(德州仪器)
音频放大器 Stereo 11W Audio Pwr Amp
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM4755TS/NOPB  音频功率放大器, AB, 2通道, 11 W, 9V 至 32V, TO-263, 9 引脚
National Semiconductor(美国国家半导体)
National Semiconductor(美国国家半导体)
TI(德州仪器)
TI(德州仪器)
音频功率放大器 LM4755T/NOPB TO-220-9(Forming)
National Semiconductor(美国国家半导体)
TI(德州仪器)
LM4755立体声11W音频功率放大器静音 LM4755 Stereo 11W Audio Power Amplifier with Mute
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