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Datasheet 搜索 > MOS管 > ON Semiconductor（安森美） > NDS331N 数据手册 > NDS331N 产品修订记录 1/9 页
NDS331N
￥ 1.187

NDS331N 产品修订记录 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:
ON Semiconductor（安森美）
分类:
MOS管
封装:
SOT-23-3
描述:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDS331N, 1.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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NDS331N数据手册
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TEM001790 Rev. C Page 1 of 4
Initial Product/Process Change Notification
Document # : IPCN22759X
Issue Date: 8July2019
TitleofChange:
SSOT3(SOT233L)CapacityexpansionofAssemblyandTestoperationsofONCebutoONSeremban,
Malaysia.
ProposedFirstShipdate:
8January2020orearlieraftercustomerapproval
ContactInformation:
ContactyourlocalONSemiconductorSalesOfficeor<Joan.Abigail.Enriquez@onsemi.com>
Samples:
ContactyourlocalONSemiconductorSalesOfficeor<PCN.Samples@onsemi.com>
Samplerequestsaretobesubmittednolaterthan30daysfromthedateoffirstnotification,InitialPCNor
FinalPCN,forthischange.
Samplesdeliverytimingwillbesubjecttorequestdate,samplequantityandspecialcustomer
packing/labelrequirements.
TypeofNotification:
ThisisanInitialProduct/ProcessChangeNotification(IPCN)sent to customers. An IPCN is an advance
notificationaboutanupcomingchangeandcontainsgeneralinformationregardingthechangedetailsand
devicesaffected.Italsocontainsthepreliminaryreliabilityqualificationplan.
ThecompletedqualificationandcharacterizationdatawillbeincludedintheFinalProduct/ProcessChange
Notification(FPCN).ThisIPCNnotificationwillbefollowedbyaFinalProduct/ProcessChangeNotification
(FPCN)atleast90dayspriortoimplementationofthechange.In case of questions, contact
<PCN.Support@onsemi.com>
ChangePartIdentification:
CustomermayreceivethepartsfromONSemiconductorSeremban,MalaysiafrommonthofOct2019
onwardsonceFPCNexpire.PartsfromONSemiconductorSeremban,Malaysiacanbeidentifiedthrough
productmarkingwhichfollowONSemiconductormarkingformat.
ChangeCategory:
WaferFabChange

AssemblyChange TestChange Other
____________
ChangeSub‐Category(s):
ManufacturingSiteAddition
ManufacturingSiteTransfer
ManufacturingProcessChange
MaterialChange
Productspecificchange
Datasheet/ProductDocchange
Shipping/Packaging/Marking
Other:
__________________
SitesAffected:
ONSemiconductorSites:
ONSeremban,Malaysia
ONCebu,Philippines
ExternalFoundry/SubconSites:
None
DescriptionandPurpose:
BeforeChangeDescription AfterChangeDescription
Assembly&Testsite ONCebu,Philippines ONCebu,Philippines ONSeremban,Malaysia
WireType Auwire&Cuwire Cuwire Cuwire
Wiresize 1.5mils&2.0mils 2.0mils 2.0mils
MoldCompound CK5100(PMC) CK5100(PMC) G600FB
Caseoutline 527AG NewCompositeCaseOutline‐TBA(tosupportbothSBNandCebupkgdimensions)
Marking Ex‐Fcsformatmarking Ex‐FCSformatmarking ONFormatmarking

NDS331N 数据手册

NDS331N 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.16 MByte
NDS331N 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.36 MByte
NDS331N 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.6 MByte

NDS331 数据手册

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N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS331N 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDS331N  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.3 A, 20 V, 0.11 ohm, 4.5 V, 700 mV
NDS331N 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDS331N, 1.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
NDS331N_D87Z 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
NDS331N_D87Z 数据手册
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NDS331N_T 数据手册
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Fairchild（飞兆/仙童）
NDS331N_T 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
NDS331N 数据手册
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