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￥ 2.742
P2000B 其他数据使用手册 - Diotec Semiconductor
制造商:
Diotec Semiconductor
封装:
P-600
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
P2000B数据手册
Page:
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P2000A ... P2000M
P2000A ... P2000M
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2013-01-24
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current
Nennstrom
20 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...1000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Ø 8 x 7.5 [mm]
Weight approx.
Gewicht ca.
2.0 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
P2000A 50 50
P2000B 100 100
P2000D 200 200
P2000G 400 400
P2000J 600 600
P2000K 800 800
P2000M 1000 1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
T
A
= 50°C I
FAV
20 A
1
)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz I
FRM
100 A
1
)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
T
A
= 25°C I
FSM
500/550 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
T
A
= 25°C i
2
t 1250 A
2
s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-50...+175°C
-50...+175°C
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
1 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Type
Ø 1.2
±0.05
Ø 8
±0.1
7.5
±0.1
62.5
±0.5
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