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器件3D模型￥ 0.504
RF081M2STFTR 其他数据使用手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
制造商:
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:
功率二极管
封装:
SOD-123
描述:
ROHM RF081M2STFTR 快速/超快二极管, AEC-Q101, 单, 200 V, 800 mA, 950 mV, 25 ns, 20 A
Pictures:
3D模型
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RF081M2STFTR数据手册
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Datasheet
www.rohm.com
© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Super Fast Recovery Diode
RF081M2STF
AEC-Q101 Qualified
Series Dimensions (Unit : mm) Land size figure (Unit : mm)
Standard Fast Recovery
Application
General rectification
Features Structure
1) Low forward voltage
2)
Taping Dimensions (Unit : mm)
Construction
Silicon epitaxial planar type
Absolute maximum ratings (T
a
= 25°C)
Repetitive peak reverse voltage
V
RM
V
Reverse voltage
V
R
V
T
a
= 45°C
T
l
= 130°C
I
FSM
A
Operating junction temperature
T
j
°C
Storage temperature
T
stg
°C
Electrical characteristics (T
j
= 25°C)
Symbol Min. Typ. Max. Unit
- 0.81 0.95
- 0.82 0.98
Reverse current
I
R
-0.0110
A
Reverse recovery time trr - 14 25 ns
Thermal resistance
R
th(j-l)
--20
°C / W
Symbol Limits Unit
200
Low switching loss
Parameter Conditions
Duty≦0.5
Direct reverse voltage
Conditions
On glass epoxy substrate
60Hz half sin wave ,Non-repetitive at T
j
=25°C
-
-
V
R
=200V
I
F
=0.5A, I
R
=1A, Irr=0.25×I
R
Junction to lead
Non-repetitive forward surge current
Parameter
I
F
=1A
Forward voltage
V
F
200
0.8
20
150
55 to 150
V
Average rectified foward current
I
o
60Hz half sin wave , Resistive load
A
1
I
F
=0.8A
1
ROHM : PMDU
JEITA : SOD-123
: Manufacture Date
PMDU
1.2
3.05
0.85
Cathode
Anode
0.9±0.1
1.6±0.1
2.6±0.1
3.5±0.2
0.8±0.1
0.1±0.1
0.05
1
0.12
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.05
1.81±0.1
4.0±0.1 φ1.0±0.1
3.5±0.05 1.75±0.1
8.0±0.2
0.25±0.05
1.5MAX
3.71±0.1
1.550.05
1.00.1
3.710.08
1/4
2015.08 - Rev.C
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