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RQ1A070APTR 其他数据使用手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
制造商:
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:
MOS管
封装:
SMD-8
描述:
RQ1A070APTR 编带
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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标记信息在P1
封装信息在P1
技术参数、封装参数在P1
电气规格在P2P3
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RQ1A070APTR数据手册
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RQ1A070AP
Pch -12V -7A Power MOSFET
Datasheet
llOutline
V
DSS
-12V
TSMT8
R
DS(on)
(Max.)
14mΩ
I
D
±7A
P
D
1.5W
llInner circuit
llFeatures
1) Low on - resistance.
2) Built-in G-S Protection Diode.
3) Small Surface Mount Package (TSMT8).
4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant
llPackaging specifications
Type
Packing
Embossed
Tape
Reel size (mm) 180
llApplication
Tape width (mm) 8
Road SW
Basic ordering unit (pcs) 3000
Taping code TR
Marking SG
llAbsolute maximum ratings (T
a
= 25°C)
Parameter Symbol Value Unit
Drain - Source voltage
V
DSS
-12 V
Continuous drain current
I
D
±7 A
Pulsed drain current
I
D,pulse
*2
±28 A
Gate - Source voltage
V
GSS
0 to -8 V
Power dissipation
P
D
*3
1.5 W
P
D
*4
0.55 W
Junction temperature
T
j
150 ℃
Range of storage temperature
T
stg
-55 to +150 ℃
www.rohm.com
© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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20150730 - Rev.001
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