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器件3D模型￥ 0.404
SMF60A 其他数据使用手册 - Diotec Semiconductor
制造商:
Diotec Semiconductor
封装:
SOD-123FL
Pictures:
3D模型
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SMF60A数据手册
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SMF5.0 ... SMF220CA
SMF5.0 ... SMF220CA
SMD Transient Voltage Suppressor Diodes
SMD Spannungs-Begrenzer-Dioden
P
PPM
= 200 W
P
M(AV)
= 0.5 W
T
jmax
= 150°C
V
WM
= 5.0 ... 220 V
V
BR
= 6.8 ... 260 V
Version 2018-02-01
SOD-123FL
(~ SMF)
Dimensions - Maße [mm]
Type Code = V
WM
. Cathode mark
only at unidirectional types
Type Code = V
WM
. Kathoden-Markierung
nur bei unidirektionalen Typen
Typical Applications
Over-voltage protection
ESD protection
Free-wheeling diodes
Commercial grade
1
)
Typische Anwendungen
Schutz gegen Überspannung
ESD-Schutz
Freilauf-Dioden
Standardausführung
1
)
Features
Uni- and Bidirectional versions
Peak pulse power of 200 W
(10/1000 µs waveform)
Very fast response time
Low profile package
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Besonderheiten
Uni- und Bidirektionale Versionen
200 W Impuls-Verlustleistung
(10/1000 µs Strom-Impuls)
Sehr schnelle Ansprechzeit
Flache Bauform
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
)
Mechanical Data
1
) Mechanische Daten
1
)
Taped and reeled 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.02 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
For bidirectional types (suffix “CA”), electrical characteristics apply in both directions.
Für bidirektionale Dioden (mit Suffix “CA”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.
Maximum ratings
2
) Grenzwerte
2
)
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)
P
PPM
200 W
3
)
Peak pulse power dissipation (8/20 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 8/20 µs)
P
PPM
1000 W
3
)
Steady state power dissipation
Verlustleistung im Dauerbetrieb
T
A
= 50°C
P
M(AV)
0.5 W
4
)
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
60 Hz (8.3 ms) I
FSM
20 A
5
)
Characteristics Kennwerte
Max. instantaneous forward voltage
Augenblickswert der Durchlass-Spannung
I
F
= 20 A
V
F
< 3.5 V
5
)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-50...+150°C
-50...+150°C
Thermal resistance junction-ambient – Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung R
thA
< 180 K/W
4
)
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T
A
= 25°C unless otherwise specified – T
A
= 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Non-repetitive pulse see curve I
PP
= f (t) / P
PP
= f (t)
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve I
PP
= f (t) / P
PP
= f (t)
4 Mounted on P. C. board with 25 mm
2
copper pads – Montage auf Leiterplatte mit 25 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) je Anschluss
5 Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
1.8
±0.2
1.3
+0.1
3.7
±0.2
2.8
±0.2
Type
Code
0.2
±0.1
0.6
±0.25
0.3
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
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