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STB270N4F3 产品封装文件 - ST Microelectronics（意法半导体）
制造商:
ST Microelectronics（意法半导体）
分类:
MOS管
封装:
TO-263-3
描述:
N沟道40 V， 1.6毫欧， 160 A ， D2PAK ， I2PAK的STripFET ？ III功率MOSFET N-channel 40 V, 1.6 mΩ, 160 A, D2PAK, I2PAK STripFET™ III Power MOSFET
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
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STB270N4F3数据手册
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Electrical characteristics STB270N4F3
4/15 DocID13208 Rev 5
2 Electrical characteristics
(T
CASE
=25 °C unless otherwise specified)
Table 4. On/off states
Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit
V
(BR)DSS
Drain-source breakdown
voltage
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0 40 V
I
DSS
Zero gate voltage drain
current (V
GS
= 0)
V
DS
= 40 V
V
DS
= 40 V, T
j
= 125 °C
10
100
µA
µA
I
GSS
Gate body leakage current
(V
DS
= 0)
V
GS
= ±20 V
±
200 nA
V
GS(th)
Gate threshold voltage V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 µA 2 4 V
R
DS(on)
Static drain-source on
resistance
V
GS
= 10 V, I
D
= 80 A 1.6 2.0 mΩ
Table 5. Dynamic
Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit
g
fs
(1)
1. Pulsed: pulse duration=300µs, duty cycle 1.5%
Forward
transconductance
V
DS
=15 V, I
D
= 80 A - 200 S
C
iss
Input capacitance
V
DS
=25 V, f=1 MHz, V
GS
=0
- 7400 pf
C
oss
Output capacitance - 1800 pF
C
rss
Reverse transfer
capacitance
-47 pF
Q
g
Total gate charge
V
DD
=20 V, I
D
= 160 A
V
GS
=10 V
(see Figure 14)
-110150nC
Q
gs
Gate-source charge - 27 nC
Q
gd
Gate-drain charge - 25 nC
Table 6. Switching times
Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit
t
d(on)
Turn-on delay time
V
DD
=20 V, I
D
= 80 A,
R
G
=4.7 Ω, V
GS
=10 V
(see Figure 16)
-22-ns
t
r
Rise time - 180 - ns
t
d(off)
Turn-off delay time - 110 - ns
t
f
Fall time - 45 - ns
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