器件3D模型

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STM32F412RET6 其他数据使用手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

微控制器

封装:

LQFP-64

描述:

STM32F412RET6可运行于工作频率100 MHz、支持浮点运算单元的Cortex-M4内核,在运行和停机模式下实现出色的低功耗性能。

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型号编码规则在P28P31P191

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STM32F412RET6数据手册

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Contents STM32F412xE/G

4/201 DocID028087 Rev 7

5 Memory mapping . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74

6 Electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78

6.1 Parameter conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78

6.1.1 Minimum and maximum values . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78

6.1.2 Typical values . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78

6.1.3 Typical curves . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78

6.1.4 Loading capacitor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78

6.1.5 Pin input voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78

6.1.6 Power supply scheme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79

6.1.7 Current consumption measurement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80

6.2 Absolute maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80

6.3 Operating conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82

6.3.1 General operating conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82

6.3.2 VCAP_1/VCAP_2 external capacitors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85

6.3.3 Operating conditions at power-up/power-down (regulator ON) . . . . . . . 85

6.3.4 Operating conditions at power-up / power-down (regulator OFF) . . . . . 86

6.3.5 Embedded reset and power control block characteristics . . . . . . . . . . . 86

6.3.6 Supply current characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87

6.3.7 Wakeup time from low-power modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105

6.3.8 External clock source characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107

6.3.9 Internal clock source characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111

6.3.10 PLL characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113

6.3.11 PLL spread spectrum clock generation (SSCG) characteristics . . . . . 115

6.3.12 Memory characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117

6.3.13 EMC characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 119

6.3.14 Absolute maximum ratings (electrical sensitivity) . . . . . . . . . . . . . . . . 121

6.3.15 I/O current injection characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122

6.3.16 I/O port characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123

6.3.17 NRST pin characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127

6.3.18 TIM timer characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128

6.3.19 Communications interfaces . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129

6.3.20 12-bit ADC characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141

6.3.21 Temperature sensor characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147

6.3.22 V

BAT

monitoring characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 148

6.3.23 Embedded reference voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 148

6.3.24 DFSDM characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 149

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STM32F412RET6 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

194 页 / 2.38 MByte

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ST Microelectronics（意法半导体）

159 页 / 1.07 MByte

STM32F412RET6 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

201 页 / 2.7 MByte

STM32F412RET6 产品修订记录

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STM32F412G 微控制器开发套件 STM32F412G-DISCO 有助于探索基于高性能 ARM Cortex-M4 内核的 STM32F7 系列微控制器。该开发套件得益于音频、多传感器支持、图形、安全、视频和高速连接功能，适用于广泛的应用。 Arduino Uno 连接支持提供无限扩展功能，可选择大量专业附加板供您选择。集成式 ST-LINK/V2-1 为 STM32 提供了嵌入式在线调试器和编程器。### 特点1 MB 闪存和 256 KB RAM 板载 ST-LINK/V2-1 支持 USB 重新计数功能 USB ST-LINK 功能：虚拟 COM 端口、大容量存储和调试端口 1.54 in（240 x 240 像素）电容式触摸薄膜晶体管 (TFT) 彩色 LCD，带并行接口串行音频接口 (SAI) 音频编解码器两个音频线路插孔，一个用于输入，一个用于输出立体声扬声器输出立体声数字 MEMS 麦克风四个彩色用户 LED 重置按钮和操纵杆 128-Mbit 四路 SPI Nor 闪存微型 SD 卡的连接器 USB OTG FS，带微型 AB 连接器 I2C 延长连接器四个电源选项： ST-LINK/V2-1、USB FS 连接器、Arduino 连接器的 VIN 电源、Arduino 连接器的 5 V 电源两个用于 MCU 的电源：2.0 V 和 3.3 V Arduino Uno V3 连接器完整的免费软件，包括各种示例，STM32Cube 封装的一部分受多种集成开发环境支持 ### STM32F4 系列 32 位 ARM Cortex-M4 微控制器，STMicroelectronics基于 ARM Cortex-M4 的 STM32 F4 系列高性能 MCU，带有 DSP 和 FPU 指令，是行业领先的 STM32 组合向更高性能的扩展。工作频率高达 180 MHz。多达 2 个 USB 2.0 OTG FS/HS SDIO（安全数字输入输出） USART、SPI、I²C I²S（内部 IC 声音）+ 音频 PLL 16 和 32 位计时器多达 3 个 12 位 ADC 低电压 1.7 V 至 3.6 V

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STM32F412 微控制器，STMicroelectronicsSTM32F412 微控制器是入门级高性能 STM32F4 系列。 STM32F412xE/G MCU 基于 ARM Cortex-M4 32 位 RISC 内核，具有浮点单元 (FPU)。 STM32F412 MCU 以高达 100 MHz 运行，且同时在运行和停止模式下具有出色的低功耗性能。自适应实时 (ART) 加速器可允许通过嵌入式闪存进行零等待操作。批量采集模式 (BAM) 可在批量处理数据过程中提高电源效率。 STM32F412xE/G 包含高速嵌入式存储器（高达 1 MB 闪存，256 K SRAM）。可将广泛的增强型输入/输出和外围设备连接至两根 APB 总线、三根 AHB 总线和 32 位多 AHB 总线矩阵。所有设备均提供一个 12 位模拟到数字转换器 (ADC)、一个地功率实时时钟 (RTC) 和十二个 16 位计时器，用于通用。两个脉冲宽度调制 (PWM) 计时器，用于电动机控制，还提供两个通用 32 位计时器。它们还具有标准和高级通信接口。### 特点ARM Cortex-M4 32 位内核，带 FPU 在运行模式下，动态效率低至 89 μA/MHz BAM，用于随时进行数据收集 ART 加速器低功率 RTC 频率高达 100 MHz 高达 1 MB 闪存和 256 K-SRAM 双模式四路 SPI 接口存储器保护装置所有包装均为 ECOPACK 2 ### STM32F4 系列 32 位 ARM Cortex-M4 微控制器，STMicroelectronics基于 ARM Cortex-M4 的 STM32 F4 系列高性能 MCU，带有 DSP 和 FPU 指令，是行业领先的 STM32 组合向更高性能的扩展。工作频率高达 180 MHz。多达 2 个 USB 2.0 OTG FS/HS SDIO（安全数字输入输出） USART、SPI、I²C I²S（内部 IC 声音）+ 音频 PLL 16 和 32 位计时器多达 3 个 12 位 ADC 低电压 1.7 V 至 3.6 V

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