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TIP132 其他数据使用手册 - ST Microelectronics（意法半导体）
制造商:
ST Microelectronics（意法半导体）
分类:
双极性晶体管
封装:
TO-220-3
描述:
NPN 复合晶体管，STMicroelectronics ### 双极晶体管，STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。
Pictures:
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TIP132数据手册
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V1.014/03/13
Darlington Transistor
Features:
• Collector-Emitter sustaining voltage-
V
CEO(sus)
= 80V (Min.) - TIP131, TIP136
= 100V (Min.) - TIP132
• Collector-Emitter saturation voltage -
V
CE(sat)
= 2V (Max.) at I
C
= 4A
• Monolithic construction with Built-in Base-Emitter shunt resistor
Maximum Ratings
Thermal Characteristics
Characteristic Symbol Max. Unit
Thermal Resistance Junction to Case R
θjc
1.785 °C/W
Characteristic Symbol
TIP131
TIP136
TIP132 Unit
Collector-Emitter Voltage V
CEO
80 100
VCollector-Base Voltage V
CBO
Emitter-Base Voltage V
EBO
5
Collector Current -Continuous
-Peak
I
C
I
CM
8
12
A
Base Current I
B
0.3 mA
Total Power Dissipation at T
C
= 25°C
Derate above 25°C
P
D
70
0.56
W
W/°C
Operation and Storage Junction
Temperature Range
T
J
, T
STG
-65 to +150 °C
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